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王占国
王占国：男，1938年12月出生，河南镇平人。半导体材料和材料物理学家，中科院半导体所研究员，中科院院士。1962年毕业于南开大学物理系，同年被分配到中国科学院半导体研究所工作，从事半导体材料光电性质和半导体材料、器件辐照效应研究。1980年10月～1983年11月赴瑞典隆德大学固体物理系进修，从事半导体深能级物理和光谱物理研究。1986年任半导体所研究员，材料室主任；1990年任博士生导师，副所长；从1990年起先后任中科院半导体材料科学重点实验室主任、学术委员会主任；并先后被选为国际半导体和半绝缘材料会议，第七届国际化学束外延会议，国际半导体缺陷识别、成像与物理会议等多个顾问委员会委员；1990～2001年任国家“863”高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长，因对“863”计划做出突出贡献，2001年“863”计划十五周年时，被科技部授予先进个人称号；1996～2000年被科技部聘任为国家S-863计划纲要建议软课题研究新材料技术领域专家组组长；2003年国家材料中长期科技发展战略研究新材料专家组组长；1996～2002国家自然科学基金信息学部半导体学科评审专家组组长；国家科技奖励评审专家；天津经济技术开发区、河南郑州经济技术开发区等顾问；从1992年起先后任南京大学、北京师范大学、大连理工大学、西安交通大学、山东大学、河南大学和南开大学等多所高校兼职教授和山东大学、武汉理工大学、北京大学、清华大学、中山大学、中科院上海技术物理研究所和中科院上海微系统与信息技术研究所等十多个国家和部门的开放实验室学术委员会主任、副主任和委员；中国科学（E辑）、半导体学报、人工晶体学报、发光学报和J.Materials Science and Technology等多种学术刊物编委；2001年任第四届中国功能材料及其应用学术会议副主席、2002年国际材联电子材料会议副主席兼程序委员会主席、2004年第十三届国际半导体和绝缘体材料会议主席、2005年第十一届国际半导体缺陷识别、成像和物理会议主席；中国电子学会高级会员，中国材料研究学会副理事长；天津市人民政府特聘专家、北京市人民政府第八届专家顾问团顾问等。1995年当选为中国科学院院士。
1962～1970年，主要从事半导体材料、器件辐照效应和光学、电学性质研究。其中，硅太阳电池电子、质子辐照效应研究成果为我国人造卫星用硅太阳电池定型(由PN改为NP)投产起了关键作用；受中国人民解放军第14研究院的委托，他负责制定了我国电子材料、器件和集成电路辐照效应研究方案和实施计划，电子材料、器件和集成电路的电子、质子、中子和g-射线的静态、动态和核爆瞬态辐照实验结果为我国航天事业、核加固、核突围和电子对抗等国防工程做出了贡献。工作中，他身先士卒，右手和全身曾受过Ⅲ度和Ⅱ度电子辐照伤害。
1971～1980年，他负责设计、建成了低温电学测量和光致发光实验系统，并对GaAs和其它III-V族化合物半导体材料的电学、光学性质进行了研究。其中，体GaAs热学和强场性质的实验结果以及与林兰英先生一起提出的“GaAs质量的杂质控制观点”，对我国70年代末纯度GaAs材料研制方向的战略转移和GaAs外延材料质量在80年代初达国际先进水平贡献了力量。
1980～1983年，经黄昆和林兰英两位所长推荐，他作为访问学者，赴国际著名的深能级研究中心瑞典隆德大学固体物理系，从事半导体深能级物理和光谱物理研究。在国际该领域的权威H.G.Grimmeiss教授等的大力支持和合作下，做出了多项有国际影响的工作，如提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同一缺陷不同能态新方法，解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论；提出了混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理新模型，解释了它们的物理实质；澄清和识别了一些被长期错误认定的GaAs中与铜等相关的发光中心等。在瑞典开展合作研究期间所发表的10余篇论文，截至1995年5月止，已被他人引用200余次。
1984～1993年，在半导体材料生长及性质研究中，先后负责承担多项国家自然科学基金、国家重点科技攻关和国家高技术“863”研究课题。提出了GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据，为提高GaAs器件的质量与电路的成品率提供了依据。与他人合作，提出了直拉硅中新施主微观结构新模型，拚弃了新施主微观结构直接与氧相关的传统观点，成功地解释了现有的实验事实，预言了它的新行为；和其他同事一起，在国内率先开展了关于超长波长锑化物材料的生长及其性质的研究，并首先在国内研制成功InGaAsSb，AlGaAsSb材料及红外探测器和激光器原型器件，获1989年中国科学院科技进步二等奖；“等电子杂质In在GaAs中行为研究”的科技成果获1990年中国科学院科技进步三等奖和国家“七五”重点科技攻关奖。协助林兰英先生，开拓了我国微重力半导体材料科学研究新领域，首次在太空从熔体中生长出GaAs单晶并对其光、电性质作了系统研究，受到国内外同行的高度评价，其研究成果获1989年中国科学院科技进步一等奖和1990年国家科技进步三等奖。
从1993开始，他工作的重点已集中在半导体低维结构和量子器件这一国际前沿研究方面，先后主持和参与负责10多个国家863、国家重点科技攻关，国家自然科学基金重大、重点和面上项目以及中科院重点、重大等研究项目。他领导的实验组，成功地生长出了国内领先、国际先进水平的电子迁移率(4.8K)高达百万的2DEG材料和高质量、器件级HEMT和P-HEMT结构材料。该科技成果分别获得1995年和1997年中国科学院科技进步二等奖。在上述成果的基础上，近年来，又发展了应变自组装In(Ga)As/GaAs，InAlAs/AlGaAs/GaAs，InAs/InAlAs/InP和InAs/InGaAs/InP等量子点、量子线和量子点（线）超晶格材料生长技术，并初步在纳米尺度上实现了对量子点（线）尺寸、形状和密度的可控生长；首次发现了InP基InAs量子线空间斜对准的新现象，被国外评述文章大段引用；成功地制备了从可见光到近红外的量子点（线）材料，并研制成功室温连续工作输出光功率3.62W(双面之和)的大功率量子点激光器，此成果系目前国际上报道的最好结果之一；红光量子点激光器的研究水平也处在国际的前列；他先后在Appl.Phys.Lett.、J.of Crystal Growth和Phys.Rev.B等国外重要学术期刊发表论文数十篇，被他人引用百余次；取得的研究成果获2000年中科学院自然科学一等奖、2001年国家自然科学二等奖、何梁何利科学与技术进步奖等。最近，他作为国家重点基础研究规划项目“信息功能材料相关基础研究”（2001～2005年）的首席科学家，又提出了柔性衬底的概念，为大失配异质结构材料体系的研制开辟了一个新的领域。
“指导博硕，呕心沥血，循循善诱；科学研究，身先士卒，锲而不舍”。这是中国科学院半导体研究所广大科研人员，特别是王占国院士所带的硕士生、博士生和博士后对他的评价。鉴于王占国院士在培养年轻科技人员方面所作出的杰出贡献，他荣获了中国科学院颁发的“研究生导师奖”。从1983年以来，王占国院士先后在国外著名学术刊物上发表重要学术论文180多篇，培养博士后、博士和硕士数十名。
笔者在整理此文时，收集到了关于王占国院士所取得的学术成就、对科学技术的贡献及其产生的社会效益等方面的文学资料约20多页。这些资料，具有五个特点，即：“多、广、高、大、密”。具体地说，就是：成果很多、涉及的学科领域特广、成果的水平甚高（有相当多的成果达到了国际水平和国际领先水平）、社会效益巨大、不少成果源自国防科研，具有保密性，不宜发表。因此，鉴于篇幅原因，以及出于保密的考虑，对王院士的贡献等，笔者未能作进一步的介绍，敬请读者鉴谅。
王占国院士，对推动中国功能材料领域的学术繁荣、学科发展、技术创新与产业振兴具有十分强烈的历史责任感和社会责任感。1990～2001年，他出任了国家“863”高技术新材料领域功能材料专家组组长；2001年10月，正值他所主持的国家重点科研项目工作最繁忙、最紧张的时刻，但为支持《第四届中国功能材料及其应用学术会议》的召开，他仍然愉快地担任了大会副主席并按时飞抵厦门出席会议。出于对院士们的高度敬重与感激，笔者作为大会执行秘书长曾通过机场保安部门的特许直接登机去迎接大会主席、两院院士师昌绪老先生、副主席王占国院士与甘子钊院士。时隔五年多后的今日，笔者之所以旧事重提，是为了借此发稿的机会，向我心中敬重的老师王占国院士表示真情的问候、深深的敬意和谢意！
